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a 导通压降VF:当肖特基二极管正向导通时二极管两端的压降。当流过二极管的电流越大时,二极管两端的导通压降也就越大,元器件的发热量也越大。 b 反向饱和漏电
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导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”
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dao tong hou er ji guan liang duan de dian ya ji ben shang bao chi bu bian （ zhe guan yue wei 0 . 3 V ， gui guan yue wei 0 . 7 V ） ， cheng wei er ji guan de “ zheng xiang ya jiang ” . . .
①压敏电压UN(U1mA):通常以在压敏电阻上通过1mA直流电流时的电压来表示其是否导通的标志电压,这个电压就称为压敏电压UN。压敏电压也常用符号U1mA表示。压敏电
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